碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性，因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。
相比传统Si材料，SiC材料能够满足新能源汽车对设计紧凑、高功率密度、耐高压/高温、延长续航里程和缩短充电时间等方面的需求，被应用至汽车主驱逆变器、OBC、DC-DC等组件中，其中主驱逆变器是SiC核心价值所在。
据《第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4 亿美元。
我国坐拥全球最大电动汽车市场，目前上汽、广汽等车企已着手布局SiC全产业链，这给本土供应商创造了极大的发展机会。与此同时，诸如比亚迪、Hyundai（现代汽车）等车企已纷纷启动芯片自研计划，亦给市场注入了新的活力。
随着新能源车渗透率不断提高，SiC将大规模上车应用，特别是在800V高压平台中。相较于Si-based IGBT，SiC功率模块在800V高压系统中的优势将会进一步放大，未来或将成为800V汽车动力总成系统中的标配功率半导体元件。
